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IXFH22N60P

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부품 번호 IXFH22N60P
제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 600V 22A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 18038 pcs
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부품 번호 IXFH22N60P 제조사 IXYS Corporation
기술 MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 18038 pcs 데이터 시트 IXFH22N60P, IXFV22N60P/PS
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5.5V @ 4mA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-247AD (IXFH) 연속 HiPerFET™, PolarHT™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 350 mOhm @ 11A, 10V 전력 소비 (최대) 400W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-247-3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Through Hole
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 58nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 22A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A (Tc)

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  • 부품#:IXFH21N50F
  • 제조업체:IXYS RF
  • 기술:MOSFET N-CH 500V 21A TO247
  • 재고:10142
$3.009/pcs문의
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