IS61WV51216EEBLL-10B2LI
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| 부품 번호 | IS61WV51216EEBLL-10B2LI |
|---|---|
| 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 기술 | IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 480 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.599 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IS61WV51216EEBLL-10B2LI | 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 9407 pcs | 데이터 시트 | IS61WV51216EExLL, 64WV51216EEBLL |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 10ns |
| 전압 - 공급 | 2.4 V ~ 3.6 V | 과학 기술 | SRAM - Asynchronous |
| 제조업체 장치 패키지 | 48-TFBGA (6x8) | 연속 | - |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFBGA | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 8Mb (512K x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 8 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8) | 액세스 시간 | 10ns |
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