IS43DR86400E-3DBLI
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| 부품 번호 | IS43DR86400E-3DBLI |
|---|---|
| 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 기술 | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.084 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | IS43DR86400E-3DBLI | 제조사 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 10972 pcs | 데이터 시트 | IS4xDR86400E, IS4xDR16320E |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 15ns |
| 전압 - 공급 | 1.7 V ~ 1.9 V | 과학 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 제조업체 장치 패키지 | 60-TWBGA (8x10.5) | 연속 | - |
| 포장 | Tray | 패키지 / 케이스 | 60-TFBGA |
| 다른 이름들 | 706-1561 | 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 512Mb (64M x 8) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | DRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 6 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명 | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ns 60-TWBGA (8x10.5) | 클럭 주파수 | 333MHz |
| 액세스 시간 | 450ns |
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