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부품 번호 IS42S32800D-75EB
제조사 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
In Stock 4907 pcs
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부품 번호 IS42S32800D-75EB 제조사 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
기술 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 4907 pcs 데이터 시트 IS4xS32800D
범주 집적회로 (ic) 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
전압 - 공급 3 V ~ 3.6 V 과학 기술 SDRAM
제조업체 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) 연속 -
포장 Tray 패키지 / 케이스 90-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 3 (168 Hours) 메모리 유형 Volatile
메모리 크기 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel
메모리 형식 DRAM 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant
상세 설명 SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 133MHz 5.5ns 90-TFBGA (8x13) 클럭 주파수 133MHz
액세스 시간 5.5ns

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