70V658S12BFI8
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| 부품 번호 | 70V658S12BFI8 |
|---|---|
| 제조사 | IDT (Integrated Device Technology) |
| 기술 | IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $29.039 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | 70V658S12BFI8 | 제조사 | IDT (Integrated Device Technology) |
|---|---|---|---|
| 기술 | IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 1335 pcs | 데이터 시트 | IDT SuffixesIDT70V659/58/57S |
| 범주 | 집적회로 (ic) | 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | 12ns |
| 전압 - 공급 | 3.15 V ~ 3.45 V | 과학 기술 | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| 제조업체 장치 패키지 | 208-CABGA (15x15) | 연속 | - |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 208-LFBGA |
| 다른 이름들 | IDT70V658S12BFI8 IDT70V658S12BFI8-ND |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형 | Volatile | 메모리 크기 | 2Mb (64K x 36) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | 메모리 형식 | SRAM |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 10 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 상세 설명 | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15) | 기본 부품 번호 | IDT70V658 |
| 액세스 시간 | 12ns |
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