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GSID200A120S3B1

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부품 번호 GSID200A120S3B1
제조사 Global Power Technologies Group
기술 SILICON IGBT MODULES
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 GSID200A120S3B1 제조사 Global Power Technologies Group
기술 SILICON IGBT MODULES 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 1041 pcs 데이터 시트 GSID200A120S3B1
범주 이산 반도체 제품 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1200V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) 2V @ 15V, 200A 제조업체 장치 패키지 D3
연속 Amp+™ 전력 - 최대 1595W
패키지 / 케이스 D-3 Module 작동 온도 -40°C ~ 150°C
NTC 써미스터 No 실장 형 Chassis Mount
제조업체 표준 리드 타임 8 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 20nF @ 25V 입력 Standard
IGBT 유형 - 상세 설명 IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1595W Chassis Mount D3
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 1mA 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 400A
구성 2 Independent

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