GP2M011A090NG
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| 부품 번호 | GP2M011A090NG |
|---|---|
| 제조사 | Global Power Technologies Group |
| 기술 | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | GP2M011A090NG | 제조사 | Global Power Technologies Group |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5447 pcs | 데이터 시트 | GP2M011A090NG |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PN | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 900 mOhm @ 5.5A, 10V | 전력 소비 (최대) | 416W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 다른 이름들 | 1560-1209-1 1560-1209-1-ND 1560-1209-5 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3240pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 84nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900V | 상세 설명 | N-Channel 900V 11A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
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- 부품#:
GP2M010A060F - 제조업체:
Global Power Technologies Group - 기술:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F - 재고:
44799