MURTA400120R
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| 부품 번호 | MURTA400120R |
|---|---|
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 기술 | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 18 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $28.422 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | MURTA400120R | 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 1237 pcs | 데이터 시트 | MURTA40060 thru MURTA400120R |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 2.6V @ 200A |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 1200V | 제조업체 장치 패키지 | Three Tower |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 연속 | - |
| 포장 | Bulk | 패키지 / 케이스 | Three Tower |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C | 실장 형 | Chassis Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 4 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 다이오드 유형 | Standard |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Anode | 상세 설명 | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 25µA @ 1200V | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 200A |
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