GAP05SLT80-220
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| 부품 번호 | GAP05SLT80-220 |
|---|---|
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 10 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $108.668 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | GAP05SLT80-220 | 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 324 pcs | 데이터 시트 | GAP05SLT80-220 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 피크 역 (최대) | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 50mA (DC) | 전압 - 파괴 | - |
| 연속 | - | RoHS 상태 | Tube |
| 역 회복 시간 (trr) | No Recovery Time > 500mA (Io) | 만약, F @ 저항 | 25pF @ 1V, 1MHz |
| 편광 | Axial | 다른 이름들 | 1242-1257 |
| 작동 온도 - 정션 | 0ns | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | GAP05SLT80-220 | 확장 설명 | Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole |
| 다이오드 구성 | 3.8µA @ 8000V | 기술 | DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 4.6V @ 50mA | 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 8000V (8kV) |
| VR, F @ 용량 | -55°C ~ 175°C |
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