GA20JT12-247
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| 부품 번호 | GA20JT12-247 |
|---|---|
| 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
| 기술 | TRANS SJT 1.2KV 20A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | GA20JT12-247 | 제조사 | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | TRANS SJT 1.2KV 20A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4089 pcs | 데이터 시트 | GA20JT12-247 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | - |
| Vgs (최대) | - | 과학 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AB | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70 mOhm @ 20A | 전력 소비 (최대) | 282W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 다른 이름들 | 1242-1188 GA20JT12247 |
작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | FET 유형 | - |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V | 상세 설명 | 1200V 20A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) |
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