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1N3212R

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부품 번호 1N3212R
제조사 GeneSiC Semiconductor
기술 DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
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부품 번호 1N3212R 제조사 GeneSiC Semiconductor
기술 DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 17831 pcs 데이터 시트 1N3212 thru 1N3214RDO-5 (DO-203AB) Pkg Drawing
범주 이산 반도체 제품 전압 - 피크 역 (최대) Standard, Reverse Polarity
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 15A 전압 - 파괴 DO-5
연속 - RoHS 상태 Bulk
역 회복 시간 (trr) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 만약, F @ 저항 -
편광 DO-203AB, DO-5, Stud 다른 이름들 1N3212RGN
실장 형 Chassis, Stud Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 10 Weeks 제조업체 부품 번호 1N3212R
확장 설명 Diode Standard, Reverse Polarity 400V 15A Chassis, Stud Mount DO-5 다이오드 구성 10µA @ 50V
기술 DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 전류 - 누설 Vr에서 역방향 1.5V @ 15A
전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) 400V VR, F @ 용량 -65°C ~ 175°C

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