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HUF76407D3ST

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부품 번호 HUF76407D3ST
제조사 Fairchild/ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 222306 pcs
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부품 번호 HUF76407D3ST 제조사 Fairchild/ON Semiconductor
기술 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 222306 pcs 데이터 시트 HUF76407D3S
범주 이산 반도체 제품 전압 - 테스트 350pF @ 25V
전압 - 파괴 TO-252AA 아이디 @ VGS (일) (최대) 92 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (최대) 4.5V, 10V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
연속 UltraFET™ RoHS 상태 Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 12A (Tc) 편광 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 HUF76407D3ST-ND
HUF76407D3STFSTR
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 6 Weeks 제조업체 부품 번호 HUF76407D3ST
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 11.3nC @ 10V IGBT 유형 ±16V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 3V @ 250µA FET 특징 N-Channel
확장 설명 N-Channel 60V 12A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA 소스 전압에 드레인 (Vdss) -
기술 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60V
용량 비율 38W (Tc)

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