FQPF8N80CYDTU
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| 부품 번호 | FQPF8N80CYDTU |
|---|---|
| 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.677 | $0.607 | $0.488 | $0.401 | $0.332 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | FQPF8N80CYDTU | 제조사 | Fairchild/ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 59177 pcs | 데이터 시트 | FQP8N80C, FQPF8N80C |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 테스트 | 2050pF @ 25V |
| 전압 - 파괴 | TO-220F-3 (Y-Forming) | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.55 Ohm @ 4A, 10V |
| Vgs (최대) | 10V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | QFET® | RoHS 상태 | Tube |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8A (Tc) | 편광 | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 23 Weeks |
| 제조업체 부품 번호 | FQPF8N80CYDTU | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 45nC @ 10V |
| IGBT 유형 | ±30V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 5V @ 250µA |
| FET 특징 | N-Channel | 확장 설명 | N-Channel 800V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | - | 기술 | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220F |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 800V | 용량 비율 | 59W (Tc) |
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