VS-GB200TH120N

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| 부품 번호 | VS-GB200TH120N |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 12 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $169.845 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | VS-GB200TH120N | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 204 pcs | 데이터 시트 | VS-GB200TH120N |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 1200V |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.35V @ 15V, 200A | 제조업체 장치 패키지 | Double INT-A-PAK |
| 연속 | - | 전력 - 최대 | 1136W |
| 패키지 / 케이스 | Double INT-A-PAK (3 + 4) | 다른 이름들 | VSGB200TH120N |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | NTC 써미스터 | No |
| 실장 형 | Chassis Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 38 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가 | 14.9nF @ 25V | 입력 | Standard |
| IGBT 유형 | - | 상세 설명 | IGBT Module Half Bridge 1200V 360A 1136W Chassis Mount Double INT-A-PAK |
| 전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) | 5mA | 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 360A |
| 구성 | Half Bridge |
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