VQ1001P-E3
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| 부품 번호 | VQ1001P-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | VQ1001P-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4047 pcs | 데이터 시트 | VQ1001J/P |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA |
| 제조업체 장치 패키지 | 14-DIP | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V | 전력 - 최대 | 2W |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Through Hole |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 110pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 유형 | 4 N-Channel | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 830mA |
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