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SQV120N10-3M8_GE3

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부품 번호 SQV120N10-3M8_GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
무연 여부 / RoHS 준수 여부
In Stock 43266 pcs
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부품 번호 SQV120N10-3M8_GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 43266 pcs 데이터 시트 SQV120N10-3M8
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-262-3 연속 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 3.8 mOhm @ 20A, 10V 전력 소비 (최대) 250W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 실장 형 Through Hole
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7230pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 190nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 100V
상세 설명 N-Channel 100V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc)

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