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SQM50P03-07_GE3

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부품 번호 SQM50P03-07_GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 91016 pcs
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부품 번호 SQM50P03-07_GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 91016 pcs 데이터 시트 SQM50P03-07
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-263 (D²Pak) 연속 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 7 mOhm @ 30A, 10V 전력 소비 (최대) 150W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TA) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5380pF @ 25V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 155nC @ 10V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V
상세 설명 P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc)

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