SQM50028EM_GE3
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| 부품 번호 | SQM50028EM_GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | ||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.196 | $1.069 | $0.877 | |||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQM50028EM_GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 39639 pcs | 데이터 시트 | SQM50028EM |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263-7 | 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2 mOhm @ 30A, 10V | 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) |
| 포장 | Original-Reel® | 패키지 / 케이스 | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 다른 이름들 | SQM50028EM_GE3DKR | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11900pF @ 25V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 185nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V |
| 상세 설명 | N-Channel 60V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
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