SQJB80EP-T1_GE3
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| 부품 번호 | SQJB80EP-T1_GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.472 | $0.419 | $0.331 | $0.257 | $0.203 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQJB80EP-T1_GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 105022 pcs | 데이터 시트 | SQJB80EP |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 19 mOhm @ 8A, 10V | 전력 - 최대 | 48W |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 다른 이름들 | SQJB80EP-T1_GE3CT | 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 32nC @ 10V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Standard | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
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