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SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3
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부품 번호 SQJ401EP-T1_GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부
In Stock 88119 pcs
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부품 번호 SQJ401EP-T1_GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부
사용 가능한 수량 88119 pcs 데이터 시트 SQJ401EP
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 연속 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 6 mOhm @ 15A, 4.5V 전력 소비 (최대) 83W (Tc)
포장 Cut Tape (CT) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
다른 이름들 SQJ401EP-T1_GE3CT 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10015pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 164nC @ 4.5V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V 상세 설명 P-Channel 12V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Tc)

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