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SQD23N06-31L_GE3

SQD23N06-31L_GE3
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부품 번호 SQD23N06-31L_GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 60V 23A TO252
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 70764 pcs
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부품 번호 SQD23N06-31L_GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 60V 23A TO252 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 70764 pcs 데이터 시트 SQD23N06-31L
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 2.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 31 mOhm @ 15A, 10V 전력 소비 (최대) 37W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
다른 이름들 SQD23N06-31L-GE3
SQD23N06-31L-GE3-ND
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 845pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 60V 상세 설명 N-Channel 60V 23A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Tc)

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