SQ4532AEY-T1_GE3
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| 부품 번호 | SQ4532AEY-T1_GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.12 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SQ4532AEY-T1_GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N/P-CH 30V 7.3/5.3A 8SOIC | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 198093 pcs | 데이터 시트 | SQ4532AEY |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 31 mOhm @ 4.9A, 10V, 70 mOhm @ 3.5A, 10V | 전력 - 최대 | 3.3W |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 535pF @ 15V, 528pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V |
| FET 유형 | N and P-Channel | FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 30V 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) |
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