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SIUD412ED-T1-GE3

SIUD412ED-T1-GE3
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부품 번호 SIUD412ED-T1-GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 740615 pcs
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부품 번호 SIUD412ED-T1-GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 740615 pcs 데이터 시트 SIUD412ED
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 900mV @ 250µA
Vgs (최대) ±5V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PowerPAK® 0806 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 340 mOhm @ 500mA, 4.5V 전력 소비 (최대) 1.25W (Ta)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 PowerPAK® 0806
다른 이름들 SIUD412ED-T1-GE3DKR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 21pF @ 6V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 0.71nC @ 4.5V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.2V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 12V 상세 설명 N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA (Tc)

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