SISH129DN-T1-GE3
OMRON AUTOMATION & SAFETY이미지는 참조 용입니다.
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SISH129DN-T1-GE3 구입
제품 세부 사항은 제품 사양을 참조하십시오.
Components-World.HK, Components-World.HK, 1 년 보증 의 확신으로 SISH129DN-T1-GE3 구입
조회를 요청하다
| 부품 번호 | SISH129DN-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.152 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SISH129DN-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 151351 pcs | 데이터 시트 | SISH129DN |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8SH | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V | 전력 소비 (최대) | 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8SH |
| 다른 이름들 | SISH129DN-T1-GE3TR | 작동 온도 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 27 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3345pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
| 상세 설명 | P-Channel 30V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14.4A (Ta), 35A (Tc) |
- 관련 상품
- 관련 뉴스
관련 상품
- 부품#:
SISH434DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH - 재고:
102762
- 부품#:
SISC185N06LX1SA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE - 재고:
408863
- 부품#:
SISH410DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH - 재고:
112729
- 부품#:
SISC262SN06LX1SA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE - 재고:
224964
- 부품#:
SISS10DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S - 재고:
114107
- 부품#:
SISH617DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- - 재고:
127956
- 부품#:
SISB46DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 - 재고:
146741
- 부품#:
SISF00DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 - 재고:
81411
- 부품#:
SISS02DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212- - 재고:
75169
- 부품#:
SISC624P06X3MA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
SMALL SIGNAL+P-CH - 재고:
90416
- 부품#:
SISH106DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH - 재고:
85248
- 부품#:
SISC050N10DX1SA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
MOSFET N-CHAN SAWED WAFER - 재고:
207616
- 부품#:
SISH402DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- - 재고:
119231
- 부품#:
SISS12DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212- - 재고:
101823
- 부품#:
SISC29N20DX1SA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE - 재고:
115551
- 부품#:
SISC097N24DX1SA1 - 제조업체:
International Rectifier (Infineon Technologies) - 기술:
TRANSISTOR P-CH BARE DIE - 재고:
139635
- 부품#:
SISS04DN-T1-GE3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- - 재고:
82497