SIR876DP-T1-GE3
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| 부품 번호 | SIR876DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIR876DP-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5086 pcs | 데이터 시트 | SIR876DP |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.8 mOhm @ 20A, 10V | 전력 소비 (최대) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 다른 이름들 | SIR876DP-T1-GE3CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1640pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V | 상세 설명 | N-Channel 100V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
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