SIHW33N60E-GE3
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| 부품 번호 | SIHW33N60E-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | |||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.752 | $2.456 | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHW33N60E-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 16091 pcs | 데이터 시트 | SIHG33N60E |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AD | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 99 mOhm @ 16.5A, 10V | 전력 소비 (최대) | 278W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-3P-3 Full Pack |
| 다른 이름들 | SIHW33N60E-GE3CT SIHW33N60E-GE3CT-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3508pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 150nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AD |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Tc) |
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