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SIHP6N40D-E3

SIHP6N40D-E3
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부품 번호 SIHP6N40D-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 78533 pcs
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부품 번호 SIHP6N40D-E3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 78533 pcs 데이터 시트 Packaging InformationSiHP6N40D
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-220AB 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1 Ohm @ 3A, 10V 전력 소비 (최대) 104W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-220-3
다른 이름들 SIHP6N40DE3 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 20 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 311pF @ 100V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 10V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 400V
상세 설명 N-Channel 400V 6A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc)

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