SIHP12N60E-GE3
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| 부품 번호 | SIHP12N60E-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.102 | $0.889 | $0.80 | $0.622 | $0.515 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHP12N60E-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 71306 pcs | 데이터 시트 | SiHF12N60E |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | 연속 | E |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 380 mOhm @ 6A, 10V | 전력 소비 (최대) | 147W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 다른 이름들 | SIHP12N60E-GE3CT SIHP12N60E-GE3CT-ND |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 937pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 58nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600V | 상세 설명 | N-Channel 600V 12A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 12A (Tc) |
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- 부품#:
SIT1602BI-72-30S-28.636300G - 제조업체:
SiTime - 기술:
-40 TO 85C, 2016, 25PPM, 3.0V, 2 - 재고:
65812