SIHF8N50D-E3
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| 부품 번호 | SIHF8N50D-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.686 | $0.609 | $0.481 | $0.373 | $0.295 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHF8N50D-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 74099 pcs | 데이터 시트 | SIHF8N50D |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220 Full Pack | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 850 mOhm @ 4A, 10V | 전력 소비 (최대) | 33W (Tc) |
| 포장 | Tube | 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
| 다른 이름들 | SIHF8N50D-E3CT SIHF8N50D-E3CT-ND SIHF8N50DE3 |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 18 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 527pF @ 100V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 500V |
| 상세 설명 | N-Channel 500V 8.7A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.7A (Tc) |
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