SIHD6N65ET5-GE3
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| 부품 번호 | SIHD6N65ET5-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 2000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.286 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SIHD6N65ET5-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 78781 pcs | 데이터 시트 | SIHD6N65E-GE3 |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±30V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-252AA | 연속 | E |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 600 mOhm @ 3A, 10V | 전력 소비 (최대) | 78W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 820pF @ 100V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650V | 상세 설명 | N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) |
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