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SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3
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부품 번호 SIB422EDK-T1-GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 323174 pcs
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부품 번호 SIB422EDK-T1-GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 323174 pcs 데이터 시트 SIB422EDK
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA
Vgs (최대) ±8V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SC-75-6L Single 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 30 mOhm @ 5A, 4.5V 전력 소비 (최대) 2.5W (Ta), 13W (Tc)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-75-6L
다른 이름들 SIB422EDK-T1-GE3TR
SIB422EDKT1GE3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 8V
FET 유형 N-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 N-Channel 20V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc)

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