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SI8902EDB-T2-E1

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부품 번호 SI8902EDB-T2-E1
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 56380 pcs
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부품 번호 SI8902EDB-T2-E1 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 56380 pcs 데이터 시트 SI8902EDB
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 980µA
제조업체 장치 패키지 6-Micro Foot™ (1.5x1) 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) - 전력 - 최대 1W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 6-MICRO FOOT®CSP
다른 이름들 SI8902EDB-T2-E1TR
SI8902EDBT2E1
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 24 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs -
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V 상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.9A 기본 부품 번호 SI8902

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