SI8465DB-T2-E1
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| 부품 번호 | SI8465DB-T2-E1 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.198 | $0.167 | $0.125 | $0.092 | $0.071 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI8465DB-T2-E1 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 267492 pcs | 데이터 시트 | SI8465DB |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±12V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 4-Microfoot | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 104 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA |
| 다른 이름들 | SI8465DB-T2-E1CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 46 Weeks | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 450pF @ 10V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | P-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
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