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SI8447DB-T2-E1

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부품 번호 SI8447DB-T2-E1
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 132096 pcs
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부품 번호 SI8447DB-T2-E1 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 11A MICROFOOT 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 132096 pcs 데이터 시트 SI8447DB
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.2V @ 250µA
Vgs (최대) ±12V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 6-Micro Foot™ (1.5x1) 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 75 mOhm @ 1A, 4.5V 전력 소비 (최대) 2.77W (Ta), 13W (Tc)
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 6-MICRO FOOT™
다른 이름들 SI8447DB-T2-E1DKR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 10V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V FET 유형 P-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.7V, 4.5V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V 상세 설명 P-Channel 20V 11A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount 6-Micro Foot™ (1.5x1)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc)

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