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SI8401DB-T1-E3

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부품 번호 SI8401DB-T1-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 87848 pcs
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부품 번호 SI8401DB-T1-E3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 3.6A 2X2 4-MFP 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 87848 pcs 데이터 시트 SI8401DB
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.4V @ 250µA
Vgs (최대) ±12V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 4-Microfoot 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 65 mOhm @ 1A, 4.5V 전력 소비 (최대) 1.47W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 4-XFBGA, CSPBGA
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 P-Channel 20V 3.6A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 4-Microfoot 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A (Ta)

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