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SI7450DP-T1-E3

SI7450DP-T1-E3
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부품 번호 SI7450DP-T1-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 93713 pcs
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부품 번호 SI7450DP-T1-E3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 93713 pcs 데이터 시트 SI7450DP
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4.5V @ 250µA
Vgs (최대) ±20V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 80 mOhm @ 4A, 10V 전력 소비 (최대) 1.9W (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8
다른 이름들 SI7450DP-T1-E3TR
SI7450DPT1E3
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 200V 상세 설명 N-Channel 200V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.2A (Ta)

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