SI6562CDQ-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI6562CDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.442 | $0.393 | $0.31 | $0.241 | $0.19 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI6562CDQ-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 106140 pcs | 데이터 시트 | SI6562CDQ |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSSOP | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V | 전력 - 최대 | 1.6W, 1.7W |
| 포장 | Cut Tape (CT) | 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 다른 이름들 | SI6562CDQ-T1-GE3CT | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 850pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC @ 10V | FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 상세 설명 | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.7A, 6.1A |
| 기본 부품 번호 | SI6562 |
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