SI5902BDC-T1-E3
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| 부품 번호 | SI5902BDC-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.562 | $0.496 | $0.392 | $0.304 | $0.24 | |
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5902BDC-T1-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 89531 pcs | 데이터 시트 | SI5902BDC |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
| 연속 | TrenchFET® | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 65 mOhm @ 3.1A, 10V |
| 전력 - 최대 | 3.12W | 포장 | Cut Tape (CT) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead | 다른 이름들 | SI5902BDC-T1-E3CT |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 제조업체 표준 리드 타임 | 33 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 220pF @ 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 10V | FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 특징 | Logic Level Gate | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4A (Tc) |
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- 부품#:
SI5858DU-T1-E3 - 제조업체:
Electro-Films (EFI) / Vishay - 기술:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET - 재고:
141660
- 부품#:
SI5902BDC-T1-GE3 - 제조업체:
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