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SI5504BDC-T1-E3

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부품 번호 SI5504BDC-T1-E3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 114899 pcs
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부품 번호 SI5504BDC-T1-E3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 114899 pcs 데이터 시트
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 3V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 65 mOhm @ 3.1A, 10V 전력 - 최대 3.12W, 3.1W
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
다른 이름들 SI5504BDC-T1-E3-ND
SI5504BDC-T1-E3TR
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 220pF @ 15V 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V
FET 유형 N and P-Channel FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 30V 상세 설명 Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3.7A 기본 부품 번호 SI5504

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