SI5406DC-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI5406DC-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 참조 가격 (US 달러) | Get a quote | ||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI5406DC-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 6049 pcs | 데이터 시트 | SI5406DC |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 600mV @ 1.2mA (Min) |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 1.3W (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 4.5V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12V | 상세 설명 | N-Channel 12V 6.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.9A (Ta) |
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- 부품#:
CPS19-LA00A10-SNCSNCNF-RI0WCVAR-W1065-S - 제조업체:
Schurter - 기술:
SWITCH PUSHBUTTON SPST 100MA 42V - 재고:
4874