SI2311DS-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI2311DS-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI2311DS-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4725 pcs | 데이터 시트 | SI2311DS |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 800mV @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 710mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 970pF @ 4V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| FET 유형 | P-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V |
| 상세 설명 | P-Channel 8V 3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
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