SI1905BDH-T1-E3
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| 부품 번호 | SI1905BDH-T1-E3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
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- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI1905BDH-T1-E3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6 | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 5598 pcs | 데이터 시트 | SI1905BDH |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-70-6 (SOT-363) | 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 542 mOhm @ 580mA, 4.5V | 전력 - 최대 | 357mW |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 62pF @ 4V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) | FET 특징 | Logic Level Gate |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 8V | 상세 설명 | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 630mA 357mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 630mA | 기본 부품 번호 | SI1905 |
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