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SI1031X-T1-GE3

SI1031X-T1-GE3
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부품 번호 SI1031X-T1-GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 302294 pcs
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부품 번호 SI1031X-T1-GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 302294 pcs 데이터 시트 SI1031R,X
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 1.2V @ 250µA
Vgs (최대) ±6V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 SC-75A 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 8 Ohm @ 150mA, 4.5V 전력 소비 (최대) 300mW (Ta)
포장 Tape & Reel (TR) 패키지 / 케이스 SC-75A
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited) 제조업체 표준 리드 타임 13 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET 유형 P-Channel FET 특징 -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V 소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V
상세 설명 P-Channel 20V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 155mA (Ta)

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