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SI1023X-T1-GE3

SI1023X-T1-GE3
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부품 번호 SI1023X-T1-GE3
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
In Stock 322811 pcs
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부품 번호 SI1023X-T1-GE3 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 무연 여부 / RoHS 준수 여부 무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량 322811 pcs 데이터 시트 Si1023X
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 450mV @ 250µA (Min)
제조업체 장치 패키지 SC-89-6 연속 TrenchFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V 전력 - 최대 250mW
포장 Original-Reel® 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
다른 이름들 SI1023X-T1-GE3DKR 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Surface Mount 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 33 Weeks 무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 특징 Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss) 20V 상세 설명 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 370mA 250mW Surface Mount SC-89-6
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 370mA 기본 부품 번호 SI1023

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