SI1002R-T1-GE3
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| 부품 번호 | SI1002R-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 |
| 참조 가격 (US 달러) | 6000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.03 | |||||
- 제품 매개 변수
- 데이터 시트
Product parameter
| 부품 번호 | SI1002R-T1-GE3 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 수량 | 760865 pcs | 데이터 시트 | SI1002R |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±8V | 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | SC-75A | 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 560 mOhm @ 500mA, 4.5V | 전력 소비 (최대) | 220mW (Ta) |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | 패키지 / 케이스 | SC-75A |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 36pF @ 15V | 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 2nC @ 8V |
| FET 유형 | N-Channel | FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V |
| 상세 설명 | N-Channel 30V 610mA (Ta) 220mW (Ta) Surface Mount SC-75A | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 610mA (Ta) |
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