IRLU110

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부품 번호	IRLU110
제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수

~~In Stock~~ 56345 pcs
참조 가격 (US 달러)	3000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.572

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	IRLU110	제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량	56345 pcs	데이터 시트	IRLR110, IRLU110
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	2V @ 250µA
Vgs (최대)	±10V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	TO-251AA	연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	540 mOhm @ 2.6A, 5V	전력 소비 (최대)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
포장	Tube	패키지 / 케이스	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
다른 이름들	*IRLU110	작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole	수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임	6 Weeks	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	250pF @ 25V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	6.1nC @ 5V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	4V, 5V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	100V
상세 설명	N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4.3A (Tc)

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