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IRFU1N60A

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부품 번호 IRFU1N60A
제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
In Stock 4121 pcs
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부품 번호 IRFU1N60A 제조사 Electro-Films (EFI) / Vishay
기술 MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK 무연 여부 / RoHS 준수 여부 납 함유 / RoHS 비 준수
사용 가능한 수량 4121 pcs 데이터 시트 IRFx1N60A, SIHFx1N60A
범주 이산 반도체 제품 아이디 @ VGS (일) (최대) 4V @ 250µA
Vgs (최대) ±30V 과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지 TO-251AA 연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 7 Ohm @ 840mA, 10V 전력 소비 (최대) 36W (Tc)
포장 Tube 패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
다른 이름들 *IRFU1N60A 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole 수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Contains lead / RoHS non-compliant 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 229pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V FET 유형 N-Channel
FET 특징 - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss) 600V 상세 설명 N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-251AA
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.4A (Tc)

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