IRFR110TRRPBF

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부품 번호	IRFR110TRRPBF
제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 3995 pcs
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제품 매개 변수
데이터 시트

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부품 번호	IRFR110TRRPBF	제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	3995 pcs	데이터 시트	IRFR110, SiHRF110
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	4V @ 250µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	D-Pak	연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	540 mOhm @ 2.6A, 10V	전력 소비 (최대)	2.5W (Ta), 25W (Tc)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	180pF @ 25V	게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	8.3nC @ 10V
FET 유형	N-Channel	FET 특징	-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V	소스 전압에 드레인 (Vdss)	100V
상세 설명	N-Channel 100V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak	전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	4.3A (Tc)

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