IRFD213
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| 부품 번호 | IRFD213 |
|---|---|
| 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 기술 | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
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- 제품 매개 변수
Product parameter
| 부품 번호 | IRFD213 | 제조사 | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| 기술 | MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP | 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 비 준수 |
| 사용 가능한 수량 | 4450 pcs | 데이터 시트 | |
| 범주 | 이산 반도체 제품 | 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | 제조업체 장치 패키지 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 연속 | - | 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
| 전력 소비 (최대) | - | 포장 | Tube |
| 패키지 / 케이스 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole | 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Contains lead / RoHS non-compliant | 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140pF @ 25V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.2nC @ 10V | FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - | 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250V |
| 상세 설명 | N-Channel 250V 450mA (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP | 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 450mA (Ta) |
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