IRF520SPBF

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부품 번호	IRF520SPBF
제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수

~~In Stock~~ 99620 pcs
참조 가격 (US 달러)	1 pcs	10 pcs	100 pcs	500 pcs	1000 pcs
참조 가격 (US 달러)	$0.557	$0.493	$0.39	$0.302	$0.239

제품 매개 변수
데이터 시트

Product parameter

부품 번호	IRF520SPBF	제조사	Electro-Films (EFI) / Vishay
기술	MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK	무연 여부 / RoHS 준수 여부	무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량	99620 pcs	데이터 시트	IRF520S, SiHF520S Datasheet
범주	이산 반도체 제품	아이디 @ VGS (일) (최대)	4V @ 250µA
Vgs (최대)	±20V	과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지	D2PAK	연속	-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)	270 mOhm @ 5.5A, 10V	전력 소비 (최대)	3.7W (Ta), 60W (Tc)
포장	Tape & Reel (TR)	패키지 / 케이스	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)	실장 형	Surface Mount
수분 민감도 (MSL)	1 (Unlimited)	제조업체 표준 리드 타임	12 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부	Lead free / RoHS Compliant	입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	360pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	16nC @ 10V	FET 유형	N-Channel
FET 특징	-	드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)	100V	상세 설명	N-Channel 100V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	9.2A (Tc)

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